| AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性 |
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| 引用本文： | 祃龙,王燕,余志平,田立林. AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性[J]. 半导体学报, 2004, 25(10): 1285-1290 |
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| 作者姓名： | 祃龙 王燕 余志平 田立林 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084;清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在考虑Al Ga N / Ga N异质结中的压电极化和自发极化效应的基础上,自洽求解了垂直于沟道方向的薛定谔方程和泊松方程.通过模拟计算,研究了Al Ga N / Ga N HEMT器件掺杂层Al的组分、厚度、施主掺杂浓度以及栅偏压对二维电子气特性的影响.用准二维物理模型计算了Al Ga N/ Ga N HEMT器件的输出特性,给出了相应的饱和电压和阈值电压,并对计算结果和Al Ga N/ Ga N HEMT器件的结构优化进行了分析.
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| 关 键 词： | AlGaN/GaN HEMT 二维电子气 输出特性 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)10-1285-06 |
| 修稿时间： | 2003-09-27 |
AlGaN/GaN HEMT Device Optimization and I-V Characteristics |
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| Ma Long,Wang Yan,Yu Zhiping and Tian Lilin. AlGaN/GaN HEMT Device Optimization and I-V Characteristics[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(10): 1285-1290 |
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| Authors: | Ma Long Wang Yan Yu Zhiping Tian Lilin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT 2DEG output characteristics |
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