| 浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究 |
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| 引用本文： | 贺朝会,耿斌,陈晓华,王燕萍,彭宏论. 浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究[J]. 核电子学与探测技术, 2002, 22(4): 344-347 |
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| 作者姓名： | 贺朝会 耿斌 陈晓华 王燕萍 彭宏论 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,陕西西安69信箱13分箱,710024 |
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| 摘 要： | 给出了浮栅ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值，当累积剂量小于某一值时，无数据错误。当累积剂量达到一定值时，开始出现数据错误。随着累积剂量的增加，错误数增加，动态监测和静态加电的器件都出现数据错误，且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高的累积剂量辐射下未出现错误，而且可以用编程器重新写入数据。
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| 关 键 词： | 浮栅ROM器件 γ辐射效应 实验研究 总剂量效应 钴60 γ源 只读存储器 |
| 文章编号： | 0258-0934(2002)04-0344-04 |
| 修稿时间： | 2001-05-05 |
Experimental study on γ irradiation effects of floating gate ROMs |
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| HE Chao-hui,GENG Bin,CHEN Xiao-hua,WANG Yan-ping,PENG Hong-lun. Experimental study on γ irradiation effects of floating gate ROMs[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2002, 22(4): 344-347 |
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| Authors: | HE Chao-hui GENG Bin CHEN Xiao-hua WANG Yan-ping PENG Hong-lun |
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| Keywords: | FLASH ROM EEPROM |
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