| 一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计 |
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| 引用本文： | 危长明,陈迪平,王镇道,陈永洁. 一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计[J]. 半导体技术, 2004, 29(1): 63-67 |
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| 作者姓名： | 危长明 陈迪平 王镇道 陈永洁 |
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| 作者单位： | 湖南大学应用物理系,湖南,长沙,410082;湖南大学应用物理系,湖南,长沙,410082;湖南大学应用物理系,湖南,长沙,410082;湖南大学应用物理系,湖南,长沙,410082 |
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| 摘 要： | 对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6 μ m标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器.在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 dB的功率增益,-3dB带宽为1 50MHz,S11达到-38dB,消耗的电流为5mA.
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 噪声优化 射频集成电路 CMOS |
| 文章编号： | 1003-353X(2004)01-0063-05 |
| 修稿时间： | 2003-06-13 |
Design of a new 900MHz CMOS low noise amplifier |
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| WEI Chang-ming,CHEN Di-ping,WANG Zhen-dao,CHEN Yong-jie. Design of a new 900MHz CMOS low noise amplifier[J]. Semiconductor Technology, 2004, 29(1): 63-67 |
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| Authors: | WEI Chang-ming CHEN Di-ping WANG Zhen-dao CHEN Yong-jie |
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| Abstract: | A new 900MHz CMOS low noise amplifier (LNA) implemented with 0.6mm standardCMOS technology is presented. After a detailed analysis of the relation between the noise figure(NF) and the width of the input MOSFET, a new single-input LNA is given which achieves theperformance of its full differential counterpart .At 900MHz, the NF is 1.5dB, power gain is greater than22dB, S11 achieves -38dB and the 1dB compression point is -18dBm. |
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| Keywords: | low noise amplifier noise optimization RF integrated circuits CMOS |
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