| ITO薄膜直流反应磁控溅射制备及性能研究 |
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| 引用本文： | 夏冬林,杨晟,王树林,赵修建. ITO薄膜直流反应磁控溅射制备及性能研究[J]. 材料导报, 2005, 19(11): 113-114,117 |
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| 作者姓名： | 夏冬林 杨晟 王树林 赵修建 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;武汉工程大学材料科学与工程学院,武汉,430073 |
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| 基金项目： | 武汉理工大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 以90wt%In和10wt%Sn铟锡合金为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片制备ITO透明导电薄膜.用紫外-可见光分光光度计、四探针电阻仪、XRD和SEM分别测试了ITO薄膜的紫外-可见光透射光谱、方块电阻、薄膜的结构和表面形貌.研究了氧分压对ITO薄膜性能的影响.实验结果表明,ITO薄膜随着氧分压的增加,薄膜紫外透射光谱的吸收截止边带向短波长方向漂移.随着氧分压的增大,ITO薄膜的方块电阻增加,结晶程度变好,晶粒尺寸变大.
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| 关 键 词： | 直流磁控反应溅射法 ITO 薄膜 光电性能 |
Growth and Properties of ITO Thin Films by DC Reactive Magnetron Sputtering |
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| XIA Donglin,YANG Sheng,WANG Shulin,ZHAO Xiujian. Growth and Properties of ITO Thin Films by DC Reactive Magnetron Sputtering[J]. Materials Review, 2005, 19(11): 113-114,117 |
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| Authors: | XIA Donglin YANG Sheng WANG Shulin ZHAO Xiujian |
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| Affiliation: | 1 Key Laboratory for Silicate Materials Science and Engineering, Ministry of Education, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070~2 School of Materials Science and Engineering, Wuhan Institute of Technology, Wuhan 430073 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ITO |
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