| 一个迭式高电容存储器 |
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| 引用本文： | KunichiOhta,Kunio.Yamada,Manzoh,HiroyukiShiraki,AkitomoNakamura,KyozoShimizu,YasuoTaruiVLSI,陈德英.一个迭式高电容存储器[J].电子器件,1980(Z1). |
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| 作者姓名： | KunichiOhta Kunio.Yamada Manzoh HiroyukiShiraki AkitomoNakamura KyozoShimizu YasuoTaruiVLSI 陈德英 |
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| 作者单位： | Technology Research Association Cooperative Laboratories Kawasaki，Japan，Technology Research Association Cooperative Laboratories Kawasaki，Japan，Technology Research Association Cooperative Laboratories Kawasaki，Japan，Technology Research Association Cooperative Laboratories Kawasaki，Japan，Technology Research Association Cooperative Laboratories Kawasaki，Japan，Technology Research Association Cooperative Laboratories Kawasaki，Japan，Technology Research Association Cooperative Laboratories Kawasaki，Japan |
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| 摘 要： | 本文讨论一种动态存储器结构,它能组成1M位VLSI的10×10mm~2存储器芯片采用常规光刻,其光刻尺寸为2~u以下。 图1给出了2位单管单容存储器单元的结构。该存储器单元由一个四层自对准(QSA)MOSFET,一个钽氧化物的迭式高存储电容,一条多晶硅字线和一条Al位线所组成。
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