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| 射频溅射非晶硅薄膜的光电性质 | |
| 作者姓名： | 彭少麒 章佩娴 叶贤京 |
| 作者单位： | 中山大学，中山大学，中山大学 |
| 摘 要： | 本文作为应用基础研究了射频溅射非晶硅薄膜的一些光电特性,着重在溅射条件与氢化处理(包括氢氩混合溅射及在溅射后对薄膜进行等离子体氢化处理)对薄膜特性的影响.实验条件变化范围是:溅射时氩的气压(3～15×10~(-3)TORR);等离子体氢处理的时间及温度(O～120',200～400℃).关于射频溅射非晶硅薄膜及等离子氢化处理的工艺规律,可参阅作者其它论文. |
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