HCl氧化降低硅靶视像管的暗电流

在干氧和微量HCl混合气氛中生长靶的氧化层,能明显降低硅靶视像管的暗电流在标准的1时硅靶视像管中,已经获得了小于0。6nA的暗电流,比之已发表的一般硅靶管的暗流要小十倍。发现暗电流的降低主要是由于降低了表面产生速率,增加了产生的少子寿命,而对于这种低暗电流的靶,体内产生电流将是暗电流的主要成分。同时还发现将HCl氧化的硅片在氧化后或在硼扩再分布后进行氮退火,则有助于降低暗电流,减少电视图像中的亮斑点。