| 过量Pb对PZT压电陶瓷微观结构和介电性能的影响 |
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| 引用本文： | 李瑛娟,陈清明. 过量Pb对PZT压电陶瓷微观结构和介电性能的影响[J]. 热加工工艺, 2012, 41(20): 16-19 |
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| 作者姓名： | 李瑛娟 陈清明 |
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| 作者单位： | 昆明理工大学材料科学与工程学院,云南昆明,650093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(619220090032) |
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| 摘 要： | 在准同型相界MPB附近即Zr/Ti比为52/48时采用固相烧结法分别制备了过量Pb含量分别为0at％、5at％、10at％、15at％的PZT压电陶瓷.分别采用TG/DSC分析仪、X射线衍射仪、扫描电镜和阻抗分析仪LCR分析了粉体的热分解温度;表征了PZT压电陶瓷的微结构;讨论了过量Pb对PZT陶瓷的介电性能的影响.结果表明:在Pb过量依次为0at％、5at％、10at％、15at％,1200℃烧结2h时,均得到了晶界清晰,晶粒尺寸分布均匀,具有纯钙钛矿结构的PZT压电陶瓷.同时在1KHz时,PZT靶材的介电常数随过量Pb含量的增大先增大后减小,并在x(Pb)=10at％时介电常数达到最大值298,且介电损耗为0.0984.所制备的压电陶瓷均可用在磁控溅射或脉冲激光沉积镀膜中,这为压电薄膜的制备奠定了基础.
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| 关 键 词： | PZT压电陶瓷 固相烧结 微观结构 介电性能 |
Effect of Excess Amounts of Pb on Microstructure and Dielectric Properties of PZT Piezoelectric Ceramics |
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| LI Yingjuan , CHEN Qingming. Effect of Excess Amounts of Pb on Microstructure and Dielectric Properties of PZT Piezoelectric Ceramics[J]. Hot Working Technology, 2012, 41(20): 16-19 |
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| Authors: | LI Yingjuan CHEN Qingming |
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| Affiliation: | (College of Material Science and Engineering,Kunming University of Science and Technology,Kunming 650093,China) |
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