| 正向氧化电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响 |
| |
| 引用本文： | 刘彩文,刘向东. 正向氧化电压对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜形成的影响[J]. 热加工工艺, 2012, 41(22): 157-158,163 |
| |
| 作者姓名： | 刘彩文 刘向东 |
| |
| 作者单位： | 内蒙古工业大学材料科学与工程学院,内蒙古呼和浩特,010051 |
| |
| 基金项目： | 铝合金陶瓷气缸的开发与产业化内蒙古科技攻关资助项目(20040202) |
| |
| 摘 要： | 通过改变正向氧化电压,对ZAlSi12Cu2Mg1微弧氧化膜的形成进行研究,研究其对微弧氧化膜层特性的影响,并测定了膜层的相组成.结果表明:电压为430 V时,膜层厚度仅65 μm,膜层硬度434 HV,在30 min的干摩擦后膜层的磨损量为基体合金的29.86％;电压提高到440 V时,膜厚增到154 μm,膜层中含有3Al2O3·2SiO2、SiO2、α-Al2O3、γ-Al2O3和WO3,膜层硬度提高到898 HV,膜层的磨损量仅为基体的12.45％.超过440 V后,膜层厚、硬度及耐磨性均有所下降.
|
| 关 键 词： | 正向氧化电压 ZAlSi12Cu2Mg1 微弧氧化 |
Effect of Forward Voltage on Coating Formed of ZAlSi12Cu2Mg1 Alloy by MAO |
| |
| LIU Caiwen , LIU Xiangdong. Effect of Forward Voltage on Coating Formed of ZAlSi12Cu2Mg1 Alloy by MAO[J]. Hot Working Technology, 2012, 41(22): 157-158,163 |
| |
| Authors: | LIU Caiwen LIU Xiangdong |
| |
| Affiliation: | (School of Materials Science and Engineering,Inner Mongolia University of Technology,Hohhot 010051,China) |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
