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| Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3压敏瓷的显微组织和电性能 | |
| 引用本文： | 徐东,施利毅,巫欣欣,钟庆东.Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3压敏瓷的显微组织和电性能[J].高电压技术,2009,35(10):2366-2370. |
| 作者姓名： | 徐东 施利毅 巫欣欣 钟庆东 |
| 作者单位： | 1. 上海大学纳米科学与技术研究中心,上海,200444;江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013 2. 上海大学纳米科学与技术研究中心,上海,200444 3. 上海大学理学院,上海,200444 |
| 基金项目： | 上海市科委技术创新人才团队建设专项项目，上海市教育委员会重点学科建设资助项目，上海市科委学科带头人计划 |
| 摘 要： | 为了提高氧化锌压敏瓷的综合电性能,采用高能球磨制备Y2O3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜和X射线衍射对其显微组织和相成分进行了分析,探讨了Y2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。结果表明,Y2O3掺杂摩尔分数在0～1.00%时,压敏瓷的电位梯度为332～597V/mm,非线性系数为23.6～40.1,漏电流为0.06～0.90μA。当Y2O3掺杂摩尔分数为0.60%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,压敏瓷电位梯度为482V/mm,非线性系数为35,漏电流为0.17μA。掺杂Y2O3使压敏瓷晶粒细化是由于Y2O3或者单独以Y2O3氧化物形式存在,钉扎在晶界,阻碍晶粒长大;或者与Bi2O3固溶形成含Y的富铋相,使Bi2O3促进晶粒生长的作用受到抑制。 |
| 关 键 词： | 压敏电阻 氧化锌 氧化钇 电性能 显微组织 烧结 |
Microstructure and Electrical Properties of Y_2O_3-doped ZnO-Bi_2O_3-based Varistor Ceramics |
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| XU Dong , SHI Li-yi , WU Xin-xin , ZHONG Qing-dong.Microstructure and Electrical Properties of Y_2O_3-doped ZnO-Bi_2O_3-based Varistor Ceramics[J].High Voltage Engineering,2009,35(10):2366-2370. | |
| Authors: | XU Dong SHI Li-yi WU Xin-xin ZHONG Qing-dong |
| Affiliation: | 1(1.Research Center of Nano Science and Technology,Shanghai University,Shanghai 200444,China;2.School of Material Science and Engineering,Jiangsu University,Zhenjiang 212013,China;3.College of Science,Shanghai University,Shanghai 200444,China) |
| Abstract: | |
| Keywords: | varistors zinc oxide yttrium oxide electrical properties microstructure sintering |
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