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一种带温度和工艺补偿的片上时钟振荡器
引用本文:虞晓凡,林平分. 一种带温度和工艺补偿的片上时钟振荡器[J]. 微电子学与计算机, 2009, 26(1)
作者姓名:虞晓凡  林平分
作者单位:北京工业大学 北京市嵌入式系统重点实验室,北京,100022
摘    要:基于SMIC0.18gm 1P6M的标准CMOS工艺,设计并实现了一种带温度补偿和工艺偏差校准的60MHz片上CMOS时钟振荡器.经仿真和流片测试验证,该结构的时钟振荡器输出频率能很好的稳定在60-61MHz,温度从-25℃变化至75℃时,频率仅变化108.5kHz,在对时钟精度要求不高的应用下,完全可以取代片外的石英晶振,降低成本.

关 键 词:温度补偿  工艺偏差校准  环形振荡器  带隙基准

A Temperature Compensation and Process Calibration On-Chip CMOS Clock Oscillator
YU Xiao-fan,LIN Ping-fen. A Temperature Compensation and Process Calibration On-Chip CMOS Clock Oscillator[J]. Microelectronics & Computer, 2009, 26(1)
Authors:YU Xiao-fan  LIN Ping-fen
Abstract:
Keywords:
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