| 基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制 |
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| 引用本文： | 胡钰杰,李子欣,赵聪,罗龙,李耀华. 基于MOSFET的串联谐振双有源桥死区振荡机理分析及抑制[J]. 电工技术学报, 2022, 37(10): 2549-2558. DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.201485 |
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| 作者姓名： | 胡钰杰 李子欣 赵聪 罗龙 李耀华 |
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| 作者单位： | 中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所) 北京 100190;中国科学院大学 北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（52007180）； |
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| 摘 要： | 基于MOSFET的串联谐振双有源桥（DAB）变换器可同时实现所有功率器件的零电压开通（ZVS）和零电流关断（ZCS），具有效率高的优点，被广泛应用于电力电子变压器（PET）隔离DC-DC环节。然而，在采用隔离变压器的DAB中，由于MOSFET寄生电容的存在，在死区时间内器件寄生电容与隔离变压器漏感会产生高频振荡，增加了通态损耗。该文建立死区时间内串联谐振DAB的等效电路，分析死区时间内高频振荡电流幅值与关断时刻电流的数学关系。为抑制高频振荡，提出基于开关频率微调的振荡抑制方法。实验结果表明了理论分析的正确性和高频振荡抑制方法的有效性。
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| 关 键 词： | 串联谐振双有源桥 MOSFET寄生电容 励磁电流 死区高频振荡 高频振荡抑制 |
Mechanism Analysis and Suppression of Oscillation in Dead Time of Series Resonant Dual Active Bridge Based on MOSFET |
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| Hu Yujie,Li Zixin,Zhao Cong,Luo Long,Li Yaohua. Mechanism Analysis and Suppression of Oscillation in Dead Time of Series Resonant Dual Active Bridge Based on MOSFET[J]. Transactions of China Electrotechnical Society, 2022, 37(10): 2549-2558. DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.201485 |
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| Authors: | Hu Yujie Li Zixin Zhao Cong Luo Long Li Yaohua |
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