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一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器
引用本文:高瑜宏,朱平.一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器[J].微电子学,2018,48(3):310-315.
作者姓名:高瑜宏  朱平
作者单位:中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051,中北大学 仪器与电子学院, 太原 030051
摘    要:提出了一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器(TIA),用于检测SEM成像产生的微弱信号。该TIA采用列线图解法进行设计,采用0.18 μm CMOS工艺进行制作。该TIA集成了一个具有10 pF结电容的光电二极管。该TIA的跨阻增益达107.3 dB,带宽为12.5 MHz,输入参考噪声为3.54×10-12A·Hz-1/2,信噪比为8。

关 键 词:CMOS跨阻放大器    低噪声    高增益    列线图法
收稿时间:2017/9/13 0:00:00

A Low Noise High Gain CMOS Transimpedance Amplifier
GAO Yuhong and ZHU Ping.A Low Noise High Gain CMOS Transimpedance Amplifier[J].Microelectronics,2018,48(3):310-315.
Authors:GAO Yuhong and ZHU Ping
Affiliation:School of Instrument and Electronics,North University of China, Taiyuan 030051, P. R. China and School of Instrument and Electronics,North University of China, Taiyuan 030051, P. R. China
Abstract:
Keywords:
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