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一种带高阶补偿的低温漂基准电压源
引用本文:田金鹏,秦少宏,李儒章,臧剑栋,彭毅德. 一种带高阶补偿的低温漂基准电压源[J]. 微电子学, 2018, 48(2): 162-166
作者姓名:田金鹏  秦少宏  李儒章  臧剑栋  彭毅德
作者单位:重庆邮电大学 光电工程学院, 重庆 400065;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060,重庆邮电大学 光电工程学院, 重庆 400065;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,重庆邮电大学 光电工程学院, 重庆 400065;模拟集成电路重点实验室, 重庆 400060
基金项目:模拟集成电路重点实验室基金资助项目(6142802011503)
摘    要:在0.18 μm标准CMOS工艺下,设计了一种低温漂基准电压源。该基准电压源由启动电路、带隙基准核电路、偏置电路、高阶补偿电路四部分构成。通过在低温段进行2阶补偿、在高温段进行高阶补偿,使得基准电压源输出在设计标准下趋于稳定。仿真结果表明,当电源电压为1.8 V、温度范围为-25 ℃~125 ℃时,该基准电压源的温度系数为3.12 ×10–6/℃。

关 键 词:带隙基准电压源   低温漂系数   2阶补偿   高阶补偿
收稿时间:2017-05-16

A Low Temperature Drift Voltage Reference Source with High Order Compensation
TIAN Jinpeng,QIN Shaohong,LI Ruzhang,ZANG Jiandong and PENG Yide. A Low Temperature Drift Voltage Reference Source with High Order Compensation[J]. Microelectronics, 2018, 48(2): 162-166
Authors:TIAN Jinpeng  QIN Shaohong  LI Ruzhang  ZANG Jiandong  PENG Yide
Affiliation:College of Optoelec.Engineer., Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China,College of Optoelec.Engineer., Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China and College of Optoelec.Engineer., Chongqing University of Posts and Telecommunications, Chongqing 400065, P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory, Chongqing 400060, P.R.China
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