| 一种机载DC/DC浪涌电流抑制电路的设计 |
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| 引用本文： | 杜培德,卢翔,鄢毅之.一种机载DC/DC浪涌电流抑制电路的设计[J].微电子学,2018,48(2):216-221. |
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| 作者姓名： | 杜培德 卢翔 鄢毅之 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060 |
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| 摘 要： | 为了满足EMC要求,通常需在机载二次DC/DC的输入端并联大容量电容,导致开机瞬间形成很大的浪涌电流,从而引起系统异常。常规的抑制方法是在输入端串联电感、NTC热敏电阻,或者串联MOS管并简单控制其缓慢开通。但这些方法存在输入电压振荡、高温时抑制失败,或者启动延时长且不能抑制重复快速浪涌等缺点。基于MOS管的密勒效应,设计了一种能够延长MOS管开通上升时间的电路,使电容电压上升速率变缓,从而抑制浪涌电流。仿真及验证结果表明,该电路具有启动延时仅有10 ms、可抑制最高60 Hz的重复快速上电浪涌、上电速率可调等优点。
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| 关 键 词： | 浪涌电流抑制 密勒效应 MOS管开关特性 |
| 收稿时间： | 2017/8/18 0:00:00 |
Design of a Surge Current Suppression Circuit on Airborne DC/DC |
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| DU Peide,LU Xiang and YAN Yizhi.Design of a Surge Current Suppression Circuit on Airborne DC/DC[J].Microelectronics,2018,48(2):216-221. |
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| Authors: | DU Peide LU Xiang and YAN Yizhi |
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| Affiliation: | Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P. R. China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P. R. China and Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P. R. China |
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