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电平转换电路的NBTI老化分析与容忍设计
引用本文:周光辉,易茂祥,方凯,黄正峰.电平转换电路的NBTI老化分析与容忍设计[J].微电子学,2018,48(3):353-358.
作者姓名:周光辉  易茂祥  方凯  黄正峰
作者单位:合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009,合肥工业大学 电子科学与应用物理学院, 合肥 230009
基金项目:国家自然科学基金资助项目(61371025,61574052)
摘    要:电平转换电路是多电压设计中重要的组成部分,用来满足不同电压域间信号的传递。基于32 nm CMOS工艺,在100 ℃下,分析了NBTI老化对传统电平转换电路的影响,并提出应对老化的方案。设计了一种改进的老化容忍的电平转换电路,限制了交叉耦合对的竞争,并采用多阈值技术平衡了功耗与时延。仿真结果表明,与原电路相比,该电路可以在更低的输入电压下正常工作。不同输入电压下,功耗和时延大幅降低。该电路具有很好的老化容忍能力。

关 键 词:负偏置温度不稳定性    电平转换电路    老化容忍
收稿时间:2017/7/23 0:00:00

NBTI Aging Analysis and Aging-Tolerant Design of Level Shifter
ZHOU Guanghui,YI Maoxiang,FANG Kai and HUANG Zhengfeng.NBTI Aging Analysis and Aging-Tolerant Design of Level Shifter[J].Microelectronics,2018,48(3):353-358.
Authors:ZHOU Guanghui  YI Maoxiang  FANG Kai and HUANG Zhengfeng
Affiliation:School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China,School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China,School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China and School of Electronic Science and Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei 230009, P. R. China
Abstract:
Keywords:NBTI  level shifter  aging-tolerance
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