| 双阱CMOS器件单粒子瞬态效应机理研究 |
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| 引用本文： | 张准,贺威,骆盛,贺凌翔,曹建民,刘毅,王坤.双阱CMOS器件单粒子瞬态效应机理研究[J].微电子学,2018,48(1):135-140. |
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| 作者姓名： | 张准 贺威 骆盛 贺凌翔 曹建民 刘毅 王坤 |
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| 作者单位： | 深圳大学 光电工程学院, 广东 深圳 518060,深圳大学 电子科学与技术学院, 广东 深圳 518060,深圳大学 光电工程学院, 广东 深圳 518060,深圳大学 光电工程学院, 广东 深圳 518060,深圳大学 电子科学与技术学院, 广东 深圳 518060,深圳大学 光电工程学院, 广东 深圳 518060,深圳大学 光电工程学院, 广东 深圳 518060 |
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| 基金项目： | 深圳市科技计划基金资助项目(JCYJ20140418095735595, JCYJ20160308093947132)；深圳市微纳光子信息重点实验室基金资助项目(MN201407) |
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| 摘 要： | 介绍了一种65 nm 双阱CMOS工艺设计的六管SRAM单元的抗辐射性能。通过三维有限元数值模拟的方法,分析了SRAM单元的单粒子瞬态效应在NMOS管中的电荷收集过程和瞬态脉冲电流的组成部分,并提出一种高拟合度的临界电荷计算方案。双阱器件共享电荷诱发的寄生双极放大效应对相邻PMOS管的稳定性有着显著的影响,高线性能量传输提高了器件单粒子翻转的敏感性。电学特性表明,全三维器件数值仿真的方法能够有效评估因内建电势突变产生的瞬态脉冲电流。该方法满足器件仿真对精确度的要求。
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| 关 键 词： | 单粒子瞬态 电荷收集 寄生双极放大效应 三维器件仿真 |
| 收稿时间： | 2017/2/21 0:00:00 |
Research on the Mechanisms of Single Event Transient Effect in Dual-Well CMOS Devices |
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| ZHANG Zhun,HE Wei,LUO Sheng,HE Lingxiang,CAO Jianmin,LIU Yi and WANG Kun.Research on the Mechanisms of Single Event Transient Effect in Dual-Well CMOS Devices[J].Microelectronics,2018,48(1):135-140. |
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| Authors: | ZHANG Zhun HE Wei LUO Sheng HE Lingxiang CAO Jianmin LIU Yi and WANG Kun |
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| Affiliation: | College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, Guangdong 518060, P.R.China,College of Electronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, Guangdong 518060, P.R.China,College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, Guangdong 518060, P.R.China,College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, Guangdong 518060, P.R.China,College of Electronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen, Guangdong 518060, P.R.China,College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, Guangdong 518060, P.R.China and College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University, Shenzhen, Guangdong 518060, P.R.China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single event transient charge collection parasitic bipolar amplification effect 3D device simulation |
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