| 基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器 |
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| 引用本文： | 余得水,何进,陈伟,王豪,常胜,黄启俊,童志强.基于55 nm CMOS工艺的2.5 Gbit/s高灵敏度跨阻放大器[J].微电子学,2018,48(3):289-294. |
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| 作者姓名： | 余得水 何进 陈伟 王豪 常胜 黄启俊 童志强 |
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| 作者单位： | 武汉大学 物理科学与技术学院,武汉 430072,武汉大学 物理科学与技术学院,武汉 430072,武汉大学 物理科学与技术学院,武汉 430072,武汉大学 物理科学与技术学院,武汉 430072,武汉大学 物理科学与技术学院,武汉 430072,武汉大学 物理科学与技术学院,武汉 430072,武汉飞思灵微电子技术有限公司,武汉 430200 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61774113,61574102,61404094)；中央高校基本科研资助项目(2042014kf0238)；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2042017gf0052)；中国博士后科学基金资助项目(2012T50688) |
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| 摘 要： | 基于55 nm CMOS工艺,设计了一种工作速率为2.5 Gbit/s的高灵敏度跨阻放大器(TIA)。TIA输入级电路采用三级反相器级联结构。为了提高动态范围,采用了双自动控制增益(AGC)电路来调节反馈电阻阻值。输入级电路后级的三级差分放大器进一步放大电压信号,并运用有源电感峰化技术来提高带宽,最后进行缓冲器输出。为了降低跨阻放大器的噪声,设计了基准带隙电路和电压偏置电路,采用温度补偿技术来保证芯片的温度稳定性。电路仿真结果表明,在误码率BER=1×10-12情况下,TIA的后仿真灵敏度为-30.2 dBm, 跨阻增益为87.5 dBΩ,带宽为1.8 GHz。在3.3 V电压的条件下,功耗为119.4 mW。
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| 关 键 词： | 高灵敏度 跨阻放大器 双AGC电路 有源电感峰化 温度补偿 |
| 收稿时间： | 2017/8/30 0:00:00 |
A 2.5 Gbit/s High Sensitivity Transimpedance Amplifier Based on 55 nm CMOS Technology |
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| YU Deshui,HE Jin,CHEN Wei,WANG Hao,CHANG Sheng,HUANG Qijun and TONG Zhiqiang.A 2.5 Gbit/s High Sensitivity Transimpedance Amplifier Based on 55 nm CMOS Technology[J].Microelectronics,2018,48(3):289-294. |
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| Authors: | YU Deshui HE Jin CHEN Wei WANG Hao CHANG Sheng HUANG Qijun and TONG Zhiqiang |
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