| 基于开关轨迹优化的SiC MOSFET有源驱动电路研究综述 |
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| 引用本文： | 王宁,张建忠. 基于开关轨迹优化的SiC MOSFET有源驱动电路研究综述[J]. 电工技术学报, 2022, 37(10): 2523-2537. DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210560 |
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| 作者姓名： | 王宁 张建忠 |
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| 作者单位： | 东南大学电气工程学院 南京 210096 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大资助项目（51991384）； |
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| 摘 要： | 随着SiC MOSFET的推广，其开关暂态过程中的超调、振荡以及电磁干扰问题越来越受到人们的重视。有源栅极驱动（AGD）电路作为一种新型驱动电路，已被广泛应用于SiC MOSFET开关轨迹的优化控制。首先，该文分析AGD电路的工作原理，给出不同驱动参数对开关特性的影响；其次，着重探讨阈值触发型AGD电路的工作模式，分别从暂态定位技术、逻辑处理架构和功率放大拓扑三方面对AGD电路进行归纳总结，并评价不同技术的优缺点，给出AGD电路设计的建议流程；最后，展望基于SiC MOSFET开关轨迹优化的AGD电路的发展趋势。
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| 关 键 词： | SiC MOSFET 有源栅极驱动 开关轨迹 振荡 |
Review of Active Gate Driver for SiC MOSFET with Switching Trajectory Optimization |
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| Wang Ning,Zhang Jianzhong. Review of Active Gate Driver for SiC MOSFET with Switching Trajectory Optimization[J]. Transactions of China Electrotechnical Society, 2022, 37(10): 2523-2537. DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210560 |
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| Authors: | Wang Ning Zhang Jianzhong |
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