弛豫铁电单晶PZNT91/9的生长与畴结构研究 |
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引用本文: | 徐家跃,范世.弛豫铁电单晶PZNT91/9的生长与畴结构研究[J].压电与声光,2003,25(4):315-317. |
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作者姓名: | 徐家跃 范世 |
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作者单位: | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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基金项目: | 中国科学院重大项目资助(98JC14017),上海市自然科学重点基金资助(02DJ14041) |
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摘 要: | 采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1~2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。晶体沿(001)面切出数片,晶片质量明显好于通气Bridgman法生长的PZNT单晶。偏光显微镜可观察到71°、90°、180°畴或微畴区。晶片极化条件为:垂直于C面施加1kV/mm的电场并保持10~15min。
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关 键 词: | PZNT 弛豫铁电单晶 坩埚下降法 晶体生长 PbO助溶剂 |
文章编号: | 1004-2474(2003)04-0315-03 |
修稿时间: | 2002年9月28日 |
Growth and Domain Configurations of Relaxor Ferroelectric Single Crystal PZNT91/9 |
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Abstract: | |
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Keywords: | PZNT relaxor ferroelectric single crystal flux-Bridgman method crystal growth PbO flux |
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