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掺Si对热压合成Ti2AlC/Ti3AlC2的影响及理论分析
引用本文:王苹,梅炳初,闵新民,洪小林,周卫兵.掺Si对热压合成Ti2AlC/Ti3AlC2的影响及理论分析[J].功能材料,2007,38(6):1037-1040.
作者姓名:王苹  梅炳初  闵新民  洪小林  周卫兵
作者单位:1. 武汉理工大学,理学院,湖北,武汉,430070;武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070
2. 武汉理工大学,材料复合新技术国家重点实验室,湖北,武汉,430070
3. 武汉理工大学,理学院,湖北,武汉,430070
摘    要:采用热压工艺以Ti、Al、Si元素粉和活性炭为原料,分别以2.0Ti/1.1Al/1.0C(摩尔比)及以0.1和0.2mol的Si取代Al,合成了Ti2AlC/Ti3AlC2块体材料.通过建立Ti2AlC、Ti3AlC2和掺Si的计算模型,计算了平均原子净电荷和平均共价键键级.结果表明:以元素粉2.0Ti/1.1Al/1.0C为原料在1450℃热压60min合成只含有非常少量Ti3AlC2的Ti2AlC材料;当Si取代Al达到0.2mol时,作用非常明显,表现为使同一温度下Ti3AlC2含量增加而Ti2AlC含量减少.另外,应用掺Si后对原子净电荷和共价键键级的影响解释了实验结果.

关 键 词:Si掺杂  热压  Ti2AlC/Ti3AlC2  理论分析
文章编号:1001-9731(2007)06-1037-04
修稿时间:2006-11-152007-02-26

Effects on synthesis of Ti2AlC/Ti3AlC2 doped with Si from elemental powders by hot pressing and theoretical analysis
WANG Ping,MEI Bing-chu,MIN Xin-min,HONG Xiao-lin,ZHOU Wei-bing.Effects on synthesis of Ti2AlC/Ti3AlC2 doped with Si from elemental powders by hot pressing and theoretical analysis[J].Journal of Functional Materials,2007,38(6):1037-1040.
Authors:WANG Ping  MEI Bing-chu  MIN Xin-min  HONG Xiao-lin  ZHOU Wei-bing
Affiliation:1. School of Science Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China; 2. State Key Lab. of Advanced Technology for Materials Synthesis and Processing, Wuhan University of Technology, Wuhan 430070, China
Abstract:
Keywords:Si-doped  hot pressing  Ti2 AlC/Ti3AlC2  theoretical analysis
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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