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| 光刻永恒 | |
| 引用本文： | 程天风.光刻永恒[J].半导体技术,2005,30(6):23-27. |
| 作者姓名： | 程天风 |
| 作者单位： | ASML,China技术行销经理 |
| 摘 要： | 由于新近的技术突破,先前应用瓶颈在光刻领域得到解决方案.如今浸没式氟化氩(ArF)光刻技术已经被ITRS列为45nm,甚至于32nm节点的关键技术.如果要达到路图指标,新的介面液体,偏振光应用都需要继续研发.实验室的数据也证实了这些理论.光刻技术可望继续被延伸到2010年. |
| 关 键 词： | 浸没式光刻 高折射率液体 偏振光源辅助成像 TM TE |
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