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| GaAs FET高输出放大MMIC | |
| 引用本文： | 孙再吉.GaAs FET高输出放大MMIC[J].固体电子学研究与进展,1994(4). |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | ＧａＡｓＦＥＴ高输出放大ＭＭＩＣ据日本《电子技术））１９９４年第６期报道，日本三菱电机公司开发了高效率的ＭＭＩＣ，用于模拟便携电话的发射系统。由ＧａＡｓＦＥＴ两级放大器构成，在３．４Ｖ低压情况下，输出功率为３１ｄＢｍ（典型），效率达６０％（典型），其... |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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