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发光二极管负电容与角频率的关系
引用本文:谭延亮,游开明,陈列尊,袁红志.发光二极管负电容与角频率的关系[J].半导体学报,2007,28(5):741-744.
作者姓名:谭延亮  游开明  陈列尊  袁红志
作者单位:衡阳师范学院物电系,衡阳 421008;衡阳师范学院物电系,衡阳 421008;衡阳师范学院物电系,衡阳 421008;湖南天雁机械有限公司,衡阳 421005
摘    要:利用正向交流(AC)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容;得到了发光二极管负电容与角频率的关系表达式.

关 键 词:发光二极管  负电容  正向交流小信号方法  可变电容  角频率  发光二极管  负电容  角频率  关系表达式  Frequency  Negative  Capacitance  表现  移相  相位  电流  特定参数  小信号响应  分析  可变电容  范围  正向电压  结电容  存在  现象  测量
文章编号:0253-4177(2007)05-0741-04
修稿时间:10 20 2006 12:00AM

Relation of Negative Capacitance in LED to Rotational Frequency
Tan Yanliang,You Kaiming,Chen Liezun and Yuan Hongzhi.Relation of Negative Capacitance in LED to Rotational Frequency[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(5):741-744.
Authors:Tan Yanliang  You Kaiming  Chen Liezun and Yuan Hongzhi
Affiliation:Department of Physics and Electronics, Hengyang Normal University, Hengyang 421008, China;Department of Physics and Electronics, Hengyang Normal University, Hengyang 421008, China;Department of Physics and Electronics, Hengyang Normal University, Hengyang 421008, China;Hunan Tyen Machine LPT.Co, Hengyang 421005,China
Abstract:
Keywords:light-emitting diode  negative capacitance  forward alternating current small signal method  variable capacitance  rotational frequency
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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