| 衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响 |
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| 引用本文： | 卢志恒,李素杰,张朝明,罗晏,张荟星. 衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响[J]. 半导体学报, 1990, 11(3): 215-220 |
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| 作者姓名： | 卢志恒 李素杰 张朝明 罗晏 张荟星 |
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| 作者单位： | 北京师范大学物理系(卢志恒)，北京师范大学低能核物理研究所(李素杰，张朝明，罗晏)，北京师范大学低能核物理研究所(张荟星) |
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| 摘 要： | 本文研究了不同剂量,不同能量硅自注入预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响。对于10keV硼注入情形,只要含硼表面层是充分预非晶化的,都可得到结深为0.15μm左右的浅结。
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| 关 键 词： | 预非晶化 离子注入 浅结 硼 硅 |
Influence of Preamorphization on Shallow Junction Formed by Low Energy Boron Ion Implantation into Silicon |
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| Lu Zhiheng/. Influence of Preamorphization on Shallow Junction Formed by Low Energy Boron Ion Implantation into Silicon[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 1990, 11(3): 215-220 |
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| Authors: | Lu Zhiheng/ |
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| Affiliation: | Lu Zhiheng/Department of Physics,Beijing Normal UniversityLi Sujie/Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal University,BeijingZhang Chaoming/Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal University,BeijingLuo Yan/Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal University,BeijingZhang Huixing/Institute of Low Energy Nuclear Physics,Beijing Normal University,Beijing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Low energy ion implantation shallow junction preamorphized silicon |
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