| 一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法 |
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| 引用本文： | 刘桂云,张义门,张玉明. 一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法[J]. 半导体学报, 2005, 26(4): 760-763 |
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| 作者姓名： | 刘桂云 张义门 张玉明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071;西安电子科技大学微电子所,西安,710071 |
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| 摘 要： | 提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法．这种方法以两组S参数为基础，应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数．该方法适用范围广．以一个0.3μｍ×280μｍ商用器件的一组寄生参数为基础，对该方法进行了验证．
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| 关 键 词： | GaAs MESFET 寄生参数 提取参数 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)04-0760-04 |
| 修稿时间： | 2004-04-18 |
Fast and Accurate Extraction of Parasitic Parameters for GaAs MESFET Device Models |
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| Liu Guiyun,Zhang Yimen,Zhang Yuming. Fast and Accurate Extraction of Parasitic Parameters for GaAs MESFET Device Models[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 26(4): 760-763 |
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| Authors: | Liu Guiyun Zhang Yimen Zhang Yuming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs MESFET parasitic parameter extracting parameter |
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