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| 8mm和3mm硅双漂移大功率脉冲崩越器件的研究 | |
| 引用本文： | 金立荣,陈水生.8mm和3mm硅双漂移大功率脉冲崩越器件的研究[J].固体电子学研究与进展,1990(1). |
| 作者姓名： | 金立荣 陈水生 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所 (金立荣)，南京电子器件研究所(陈水生) |
| 摘 要： | <正>固态脉冲振荡源是许多毫米波系统的关键部件.由于它体积小、重量轻、电源电压低,用途极为广泛.崩越器件在脉冲状态工作时可以大大缓解连续波工作时产生的散热问题,使器件输出功率的热限制上浮,因而能大幅度地提高输出峰值功率.双漂移崩越器件较之单漂移器件有如下优点,即输出功率大、转换效率高、容易与电路匹配、结构对称有利于降低噪声等.但是对多层结构的外延材料的掺杂分布、均匀性、完整性提出了极高的要求、工艺上难度大.目前8mm脉冲振荡源大多采用双漂移模式的崩越器件. |
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