| 射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术 |
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| 引用本文： | 齐雪莲,任春生,马腾才.射频等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术[J].真空,2006,43(5):9-12. |
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| 作者姓名： | 齐雪莲 任春生 马腾才 |
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| 作者单位： | 三束材料改性国家重点实验室,大连理工大学,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 介绍了射频电感耦合等离子体增强非平衡磁控溅射沉积技术的原理、实验性能。并用该技术在Si基片上沉积了Cu膜，研究了所成膜的结构、表面形貌及膜成分等，分析结果表明在该条件下沉积的Cu膜致密，晶粒尺度大约在100～1000nm，膜基界面比较紧密，没有明显的空洞，并且膜呈（111）织构。最后简要介绍了该技术应用的前景。
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| 关 键 词： | 非平衡磁控溅射 ICP增强电离 薄膜沉积 |
| 文章编号： | 1002-0322（2006）05-0009-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-05 |
| 修稿时间： | 2005-12-05 |
Thin film deposition by ICP-enhanced nonequilibrium magnetron sputtering process |
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| QI Xue-lian,REN Chun-sheng,MA Teng-cai.Thin film deposition by ICP-enhanced nonequilibrium magnetron sputtering process[J].Vacuum,2006,43(5):9-12. |
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| Authors: | QI Xue-lian REN Chun-sheng MA Teng-cai |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Modification by Laser, lon and Electron Beams, Dalian University of Technology, Dalian 116024,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nonequilibrium magnetron sputtering ICP-enhanced ionization thin film deposition |
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