单晶硅电池制绒工艺研究 |
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作者姓名: | 李雪方 元江博 |
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作者单位: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司,山西 长治 046000;山西潞安太阳能科技有限责任公司,山西 长治 046000 |
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基金项目: | 2018 年山西省重点研发计划项目基金 |
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摘 要: | 单晶硅金字塔绒面结构的形成受制绒碱液浓度、添加剂、制绒温度、制绒时间等因素的影响。本实验在不影响车间生产工艺的前提下,从单晶制绒工艺的粗抛时间和碱制绒时间上进行调整,以此获得不同的减薄量,并获得最终的电学性能。通过实验,单晶硅粗抛时间在达到去除损伤层的基础上要尽量缩短,碱制绒时间的选择要兼顾单晶硅电池的制绒反射率、最终电学性能和转换效率等因素的影响。
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关 键 词: | 单晶硅 粗抛 损伤层 制绒 金字塔 |
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