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| MOSFET的电离辐照效应 | |
| 引用本文： | 高文钰,严荣良,余学峰,任迪远,范隆.MOSFET的电离辐照效应[J].半导体学报,1992,13(8):475-481. |
| 作者姓名： | 高文钰 严荣良 余学峰 任迪远 范隆 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所 乌鲁木齐830011 (高文钰，严荣良，余学峰，任迪远)，中国科学院新疆物理研究所 乌鲁木齐830011(范隆) |
| 摘 要： | 本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关系.结果表明,辐照引起的氧化物电荷与管子的沟道种类无关.另外,漏源电压对MOSFET的辐照响应也有影响.统计数据表明,对管子阈电压漂移有贡献的界面态的能级范围大约为 E_s/2.对实验结果进行了讨论. |
| 关 键 词： | MOS集成电路 电离辐照效应 测试 |
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