| 首饰基材表面反应磁控溅射SiO2薄膜工艺 |
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| 引用本文： | 袁军平,陈绍兴,金莉莉,代司晖,郭礼健.首饰基材表面反应磁控溅射SiO2薄膜工艺[J].电镀与涂饰,2021,40(16):1244-1249. |
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| 作者姓名： | 袁军平 陈绍兴 金莉莉 代司晖 郭礼健 |
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| 作者单位： | 广州番禺职业技术学院珠宝学院,广东 广州 511483;深圳昊翀珠宝科技有限公司,广东 深圳 518000 |
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| 摘 要： | 采用反应磁控溅射工艺在S950首饰基材表面沉积防指纹用的SiO2薄膜,研究了氧气流量、氧气体积分数、溅射电流和沉积时间对沉积速率和薄膜化学组成的影响.结果表明,膜层沉积速率随着溅射电流增大而快速增加,随着氧气流量增加而先升后降,随着氧气体积占比增加而先略升后稳定,随着镀膜时间的延长而略降.膜层的氧硅原子比随着氧气流量增加而快速增加,随着氧气体积分数增加而略有增加,随着溅射电流以及沉积时间的增加而降低.
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| 关 键 词： | 首饰 反应磁控溅射 二氧化硅 防指纹膜 沉积速率 元素组成 |
SiO2 thin film deposited on base material of jewelry by reactive magnetron sputtering |
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| YUAN Junping,CHEN Shaoxing,JIN Lili,DAI Sihui,GUO Lijian.SiO2 thin film deposited on base material of jewelry by reactive magnetron sputtering[J].Electroplating & Finishing,2021,40(16):1244-1249. |
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| Authors: | YUAN Junping CHEN Shaoxing JIN Lili DAI Sihui GUO Lijian |
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