| 碳化硅化学机械抛光中金刚石磨粒与二氧化硅磨粒作用的微观模拟分析 |
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| 引用本文： | 孙强,许竞翔,卢康,褚振华.碳化硅化学机械抛光中金刚石磨粒与二氧化硅磨粒作用的微观模拟分析[J].电镀与涂饰,2021,40(16):1254-1261. |
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| 作者姓名： | 孙强 许竞翔 卢康 褚振华 |
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| 作者单位： | 上海海洋大学工程学院,上海 201306 |
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| 摘 要： | 采用反应力场(ReaxFF)分子动力学方法模拟分别以金刚石磨粒和二氧化硅磨粒对碳化硅进行化学机械抛光时的表面微观行为,探讨了这2种硬度不同的磨粒对碳化硅表面原子的去除机制.结果表明,二氧化硅磨粒在抛光过程中相比金刚石磨粒更容易发生化学反应,主要通过持续与碳化硅表面原子成键和断键来实现原子的去除.金刚石磨粒能够使碳化硅表面更多的原子被去除,而二氧化硅能保证更好的表面质量.
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| 关 键 词： | 碳化硅 化学机械抛光 二氧化硅 金刚石 分子动力学模拟 去除机制 |
Microscopic simulation analysis on function of diamond and silica particles during chemical mechanical polishing of silicon carbide |
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| SUN Qiang,XU Jingxiang,LU Kang,CHU Zhenhua.Microscopic simulation analysis on function of diamond and silica particles during chemical mechanical polishing of silicon carbide[J].Electroplating & Finishing,2021,40(16):1254-1261. |
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| Authors: | SUN Qiang XU Jingxiang LU Kang CHU Zhenhua |
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