| Si-SiN界面应力 |
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| 引用本文： | 蒋文清.Si-SiN界面应力[J].西安电子科技大学学报,1988(4). |
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| 作者姓名： | 蒋文清 |
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| 作者单位： | 西北电讯工程学院微电子研究所 |
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| 摘 要： | 本文以用 PECVD 法在硅衬底上淀积的氮化硅薄膜为研究对象,研究了薄膜应力与淀积条件之间的相互关系,给出薄膜应力的一种测量方法,并且对薄膜应力的形成机理进行了一些探讨。研究表明:本系统淀积的氮化硅薄膜应力是 Si-SiN 界面应力,它由热应力和本征应力合成。当膜厚达0.2～0.4μm 范围时,应力最小,随膜厚增加,应力形式由压应力转化为张应力,数量级在10~8Pa 左右。
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| 关 键 词： | PECVD SiN 薄膜 应力 |
Si-SiN interface stress |
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| Jiang Wenqing.Si-SiN interface stress[J].Journal of Xidian University,1988(4). |
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| Authors: | Jiang Wenqing |
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| Affiliation: | Jiang Wenqing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD SiN thin-film atress |
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