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| 关于镍薄膜热电阻研制的几个问题 | |
| 引用本文： | 周金芳,梁素珍.关于镍薄膜热电阻研制的几个问题[J].浙江大学学报(自然科学版 ),2002,36(1):66-68. |
| 作者姓名： | 周金芳 梁素珍 |
| 作者单位： | 周金芳（浙江大学,信息与电子工程系,浙江,杭州,310027） 梁素珍（浙江大学,信息与电子工程系,浙江,杭州,310027） |
| 摘 要： | 就镍薄膜热电阻研制过程中的选材、工艺、稳定性等问题进行了探讨，实验结果表明：可以选用国产0号镍，采用S－枪磁控溅射技术制备镍薄膜热电阻；合适的热处理工艺是保证电阻温度系数α值及其一致性的关键；运用保护膜技术可以提高镍薄膜热电阻温度传感器的长期稳定性。 |
| 关 键 词： | 镍薄膜热电阻 温度传感器 S－枪磁控溅技术 热处理工艺 电阻温度系数 |
| 文章编号： | 1008-973X(2002)01-0066-03 |
| 修稿时间： | 2001年7月12日 |
Aspects on developing nickle-film thermal resistance |
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