| ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型 |
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| 引用本文： | 钟旻,张楷亮,宋志棠,封松林. ULSI化学机械抛光(CMP)材料去除机制模型[J]. 润滑与密封, 2006, 0(5): 170-173 |
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| 作者姓名： | 钟旻 张楷亮 宋志棠 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,纳米技术研究室,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050 |
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| 基金项目： | 王宽诚教育基金;王宽诚教育基金;上海市博士后科研项目;上海市应用材料科技合作共同计划;上海市纳米科技专项基金;中国科学院和中国科技大学创新项目;上海市环境保护局资助项目 |
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| 摘 要： | CMP已成为IC制造中的关键工艺之一,相关机制模型的研究是当前CMP的热点。综述了考虑抛光液的流动、抛光垫的弹性和硬度、研磨颗粒的大小和硬度等不同因素的机制模型,并对基于不同假设的模型作了分析和比较。最后对CMP模型未来的发展和研究方向提出了展望。
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 平坦化 材料去除机制 模型 集成电路 |
| 文章编号： | 0254-0150(2006)5-170-4 |
| 收稿时间： | 2005-07-15 |
| 修稿时间： | 2005-07-15 |
Material Removal Mechanism and Model on Chemical Mechanical Polishing in ULSI |
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| Zhong Min,Zhang Kailiang,Song Zhitang,Feng Songlin. Material Removal Mechanism and Model on Chemical Mechanical Polishing in ULSI[J]. Lubrication Engineering, 2006, 0(5): 170-173 |
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| Authors: | Zhong Min Zhang Kailiang Song Zhitang Feng Songlin |
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| Abstract: | Chemical mechanical polishing(CMP) is one of the most important processes in IC fabrication.The mechanism model is the hotspot in CMP research in current status.A survey of some models was given which describe specific aspects of CMP,such as the flow of the slurry or the bending and hardness of the polishing pad or abrasive size and hardness.The different assumptions of the models were investigated and the models were compared.CMP models and its key problems about CMP in the future were prospected. |
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| Keywords: | chemical mechanical polishing planarization material removal mechanism model integrate circuit |
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