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| 痕量钴的差分脉冲吸附伏安法研究 | |
| 引用本文： | 孙长林 ,王建燕 ,阮勇,周晓君.痕量钴的差分脉冲吸附伏安法研究[J].浙江工业大学学报,1986(4). |
| 作者姓名： | 孙长林 王建燕 阮勇 周晓君 |
| 作者单位： | 浙江工学院86届分析专业，浙江工学院86届分析专业 毕业生，毕业生 |
| 摘 要： | 本文以汞膜电极,研究了在丁二肟存在下钴的差分脉冲吸附伏安行为,认为其电极过程为在一定电位下,扩散至电极表面的钴(Ⅱ)一丁二肟配合物还原为钴(Ⅰ)一丁二肟配合物并吸附于电极表面,在负向扫描过程中,发生不可逆电子转移,得一敏感蜂。在0.04MNH_3—0.16M NH4Cl介质(pH8.6)中,钴浓度在1.0×10~_(-10)～2.0×10~(-7)M间与其蜂电流呈良好的线性。电积2min,检测限低至5.0×10~(-11)M。方法标准偏差及变动系数分别为0.21和3.8％。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |