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| SEBISIT——一种新型高压抗辐射功率晶体管 | |
| 引用本文： | 蔡树军,王长河,黄忠升.SEBISIT——一种新型高压抗辐射功率晶体管[J].微电子学,1988(6). |
| 作者姓名： | 蔡树军 王长河 黄忠升 |
| 作者单位： | 河北半导体所 (蔡树军，王长河)，河北半导体所(黄忠升) |
| 摘 要： | SEBISIT器件充分利用了SIT器件的栅的电场屏蔽作用,一方面有效地抑制了高反压下耗尽层向基区内的扩展,实现了高压薄基区;另一方面保证了器件有接近于BV_(cbo)的BV_(ceo),实现了较薄外延层下有较高的BV_(ceo),本文对此器件作了较全面的分析。实验验证了SIT屏蔽效应的存在,并试制出BV_(ceo)为225V,f_T大于400MHz的功率加固器件,其φ0.5为常规高压器件的60多倍,有效地改善了高压晶体管的抗辐射加固性能。 |
| 关 键 词： | 抗辐射加固 电场屏蔽效应 屏蔽因子 虚拟电压 |
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