| 短沟道GaAs MESFET的二维稳态数值分析 |
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| 引用本文： | 王仲,陈敏麒,罗晋生. 短沟道GaAs MESFET的二维稳态数值分析[J]. 固体电子学研究与进展, 1988, 0(4) |
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| 作者姓名： | 王仲 陈敏麒 罗晋生 |
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| 作者单位： | 西安交通大学(王仲，陈敏麒)，西安交通大学(罗晋生) |
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| 摘 要： | <正> 一、引言 GaAs材料近年来已广泛应用于分立器件和集成电路,微波GaAs MESFET得到了迅速发展。器件性能进一步改善要求不断缩小沟道长度,一般达到亚微米数量级。随之产生一些新的效应,其中最重要的是非稳态效应(nonstationary effects),如速度过冲效应。 在短沟器件中,载流子迁移率和扩散系数主要决定于载流子能量,而不是电场,通常的漂移扩散模型不再适用。本文修正了漂移扩散模型,既保持漂移扩散模型的公式形式,又可以定量计算速度过冲效应。新模型形式简单,物理意义清楚。使用这种模型计算了0.5μm的GaAs MESFET,取得了与其它文献相符的结论。
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Two-Dimensional Numerical Analysis of the Steady-State Behaviour of a Short-Gate-Length GaAs MESFETs |
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| Abstract: | A simple method is used to consider the velocity overshoot effect greately influnc-ing the short-gate-length GaAs MESFETs, and overeomes shortcomings of the drift-diffusion model but keeps a conventional formula form of this model. It shows a widely applicable prospect. |
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