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512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器
引用本文:熊平,周旭东,邓光华,李作金,王颖,李华高,袁礼华,蒋志伟.512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器[J].半导体光电,2003,24(3):154-156.
作者姓名:熊平  周旭东  邓光华  李作金  王颖  李华高  袁礼华  蒋志伟
作者单位:重庆光电技术研究所,重庆,400060
摘    要:研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40%。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。

关 键 词:PtSi  CCD  图像传感器
文章编号:1001-5868(2003)03-0154-03
修稿时间:2003年2月24日

512×512 Element PtSi Schottky-barrier IR CCD Image Sensor
XIONG Ping,ZHOU Xu-dong,DENG Guang-hua,LI Zuo-jin,WANG Ying,LI Hua-gao,YUAN Li-hua,JIANG Zhi-wei.512×512 Element PtSi Schottky-barrier IR CCD Image Sensor[J].Semiconductor Optoelectronics,2003,24(3):154-156.
Authors:XIONG Ping  ZHOU Xu-dong  DENG Guang-hua  LI Zuo-jin  WANG Ying  LI Hua-gao  YUAN Li-hua  JIANG Zhi-wei
Abstract:
Keywords:PtSi  CCD  image sensor
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