| RSD预充时间对开通电压峰值的影响研究 |
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| 引用本文： | 刘雪青,梁琳,余岳辉. RSD预充时间对开通电压峰值的影响研究[J]. 电力电子技术, 2012, 46(7): 61-63 |
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| 作者姓名： | 刘雪青 梁琳 余岳辉 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,光学与电子信息学院,湖北武汉430074 |
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| 摘 要： | 反向开关晶体管(RSD)的开通电压峰值直接影响器件的导通功耗。为研究开通电压峰值的影响因素,从RSD开通机理出发,在直接预充电路的基础上设计了实验方案,得到了同等预充电荷量下开通电压峰值随预充时间的变化趋势。测量结果表明,在一定预充电荷量下,随着预充时间增大,开通电压峰值先减小后增大。结合预充过程中器件内部的SRH复合和俄歇复合效应,提出了有效预充电荷量的概念并以此对实验结果作出解释。
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| 关 键 词： | 晶体管 开通电压峰值 预充时间 |
Study of Effects of RSD Pre-charge Duration Upon the Turn-on Peak Voltage |
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| LIU Xue-qing , LIANG Lin , YU Yue-hui. Study of Effects of RSD Pre-charge Duration Upon the Turn-on Peak Voltage[J]. Power Electronics, 2012, 46(7): 61-63 |
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| Authors: | LIU Xue-qing LIANG Lin YU Yue-hui |
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| Affiliation: | (Huazhong University of Science & Technology,Wuhan 430074,China) |
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