| 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 王贺权,沈辉,巴德纯,汪保卫,闻立时. 靶基距对直流反应磁控溅射制备TiO2薄膜光学性质的影响[J]. 真空, 2005, 42(1): 11-14 |
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| 作者姓名： | 王贺权 沈辉 巴德纯 汪保卫 闻立时 |
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| 作者单位： | 王贺权（东北大学,辽宁,沈阳,110004;沈阳农业大学,辽宁,沈阳,110161）;沈辉（中山大学,广东,广州,510275）;巴德纯（东北大学,辽宁,沈阳,110004）;汪保卫（中国科学院广州能源研究所,广东,广州,510070）;闻立时（中国科学院金属研究所,辽宁,沈阳,110016） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(50376067). |
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| 摘 要： | 应用DC(直流)反应磁控溅射设备在硅基底上制备TiO2薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为42.6sccm,氧流量为15 sccm,溅射时间为30 min的条件下,通过控制靶基距改变TiO2薄膜的光学性质.应用n&kAnalyzer 1200测量,当靶基距增加时薄膜的平均反射率降低,同时反射低谷先短波后长波之后再短波;靶基距对消光系数k影响较大;随着靶基距的增加薄膜的折射率出现了下降的趋势,但当靶基距达到一定的量值时折射率的变化趋于稳定.通过XRD和SEM表征发现,随着靶基距的增加TiO2的晶体结构由金红石相向锐钛矿相转变,薄膜表面的颗粒度大小由粗大变得微小细密.
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| 关 键 词： | 二氧化钛薄膜 直流反应磁控溅射 靶基距 反射率 |
| 文章编号： | 1002-0322(2005)01-0011-04 |
| 修稿时间： | 2004-11-18 |
Influence of substrate-to-target distance on optical property of TiO2 thin filmprepared by DC reactive magnetron sputtering |
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| WANG He-quan. Influence of substrate-to-target distance on optical property of TiO2 thin filmprepared by DC reactive magnetron sputtering[J]. Vacuum(China), 2005, 42(1): 11-14 |
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| Authors: | WANG He-quan |
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| Affiliation: | WANG He-quan~ |
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| Keywords: | TiO_2 thin film DC reactive magnetron sputtering distance of the substrate-to-target reflectance |
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