| 分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格 |
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| 引用本文： | 彭中灵 袁讨鑫. 分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格[J]. 红外与毫米波学报, 1994, 13(1): 53-58 |
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| 作者姓名： | 彭中灵 袁讨鑫 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
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| 摘 要： | 提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。
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| 关 键 词： | 分子束外延 红外材料 超晶格半导体 |
MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF LATTICE-MATCHED HgSe/ZnTe SUPERLATTICE |
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| Peng Zhongling,Yuan Shixin. MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF LATTICE-MATCHED HgSe/ZnTe SUPERLATTICE[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 1994, 13(1): 53-58 |
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| Authors: | Peng Zhongling Yuan Shixin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | molecular beam epitaxy superlattice infrared materials |
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