| 注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响 |
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| 引用本文： | 张国强,刘忠立,李宁,范楷,郑中山,张恩霞,易万兵,陈猛,王曦.注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响[J].半导体学报,2005,26(4):835-839. |
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| 作者姓名： | 张国强 刘忠立 李宁 范楷 郑中山 张恩霞 易万兵 陈猛 王曦 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083
(张国强，刘忠立，李宁，范楷，郑中山)，中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050
(张恩霞，易万兵，陈猛)，中国科学院上海微系统与信息技术研究所 上海200050(王曦) |
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| 摘 要： | 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响． 氮注入SIMOX的埋氧层并退火后，将减小前栅MOSFET/SIMOX的阈电压，提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX器件的I-V特性有重要影响．
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| 关 键 词： | SIMOX MOSFET 氮 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)04-0835-05 |
| 修稿时间： | 2005年5月17日 |
Effects of Nitrogen on Electrical Characteristics of SIMOX Devices |
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| Zhang Guoqiang,Liu Zhongli,Li Ning,Fan Kai,Zheng Zhongshan,Zhang Enxia,Yi Wanbing,Chen Meng,Wang Xi.Effects of Nitrogen on Electrical Characteristics of SIMOX Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(4):835-839. |
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| Authors: | Zhang Guoqiang Liu Zhongli Li Ning Fan Kai Zheng Zhongshan Zhang Enxia Yi Wanbing Chen Meng Wang Xi |
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| Abstract: | Effects of nitrogen on the electrical characteristics of SIMOX devices are investigated.The experimental data show that by implanting a proper dose of nitrogen ions into the buried oxide of SIMOX wafers,the threshold voltages of n channel and p channel MOSFET/SIMOX decrease,and the drain-source breakdown voltages of nMOSFETs and pMOSFETs increase,but the gate breakdown voltage changes little.Nitrogen implantation processes play a very important role in the electrical performance of the nitride SIMOX devices. |
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| Keywords: | SIMOX MOSFET nitrogen |
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