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多阳极光电倍增管读出ASIC设计
引用本文:肖腾飞,张研,王庆娟,吴文欢,王铮,赵京伟.多阳极光电倍增管读出ASIC设计[J].核电子学与探测技术,2012,32(9):1003-1006.
作者姓名:肖腾飞  张研  王庆娟  吴文欢  王铮  赵京伟
作者单位:1. 中国科学院高能物理研究所,北京100049;中国科学院研究生院,北京100049
2. 中国科学院高能物理研究所,北京,100049
摘    要:主要介绍了针对多阳极光电倍增管读出ASIC设计,该设计主要应用于散裂中子源中子谱仪中的高通量粉末衍射仪的读出电子学系统中1].设计采用了Chartered 0.35 μm CMOS工艺,整个芯片集成了32通道,每个通道包含前置放大器、积分电路以及比较器等部分,分别实现快速放大、积分、甄别和整形输出等功能.要求前放增益可调,能够准确分辨出中子和γ信号.

关 键 词:多阳极光电倍增管  专用集成电路  中子鉴别  电压灵敏前放  截止CMOS管反馈

A Readout ASICDesigned For Multi-anode Photomultiplier Tube
XIAO Teng-fei , ZHANG Yan , WANG Qing-juan , WU Wen-huan , WANG Zheng , ZHAO Jing-wei.A Readout ASICDesigned For Multi-anode Photomultiplier Tube[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2012,32(9):1003-1006.
Authors:XIAO Teng-fei  ZHANG Yan  WANG Qing-juan  WU Wen-huan  WANG Zheng  ZHAO Jing-wei
Affiliation:1(1.Institute of High Energy Physics,CAS,Beijing 100049,China;2.Graduate University of CAS,100049,China)
Abstract:
Keywords:
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