| GaAs和量子阱材料倍频效应的初步研究 |
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| 引用本文： | 宋捷,钱士雄,李郁芬. GaAs和量子阱材料倍频效应的初步研究[J]. 应用激光, 1991, 0(3) |
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| 作者姓名： | 宋捷 钱士雄 李郁芬 |
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| 作者单位： | 复旦大学物理系，复旦大学物理系，复旦大学物理系 |
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| 摘 要： | 采用调 Q YAG 激光器研究了半导体材料 GaAs,GaAs:Cr,InGaAs/GaAs 单量子阱(SQW)的倍频效应及其规律。测量了信号大小与晶体对称轴取向及入射、出射光偏振方向的关系。研究表明:材料表层结构的变化对于反射型倍频效应有很大影响。
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| 关 键 词： | 倍频效应 GaAs 单量子阱 |
The Study of SHG of Semiconductor GaAs and Quantum Well |
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| Song Jie Qian Shixiong Li Yufen. The Study of SHG of Semiconductor GaAs and Quantum Well[J]. Applied Laser, 1991, 0(3) |
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| Authors: | Song Jie Qian Shixiong Li Yufen |
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| Affiliation: | Song Jie Qian Shixiong Li Yufen Department of Physics,Fudan University |
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| Keywords: | SHG GaAs Quantum well |
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