| 用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究 |
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| 引用本文： | 姚振钰,任治璋,王向明,刘志凯,黄大定,秦复光,林兰英.用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究[J].半导体学报,1992,13(8):518-522. |
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| 作者姓名： | 姚振钰 任治璋 王向明 刘志凯 黄大定 秦复光 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083
(姚振钰，任治璋，王向明，刘志凯，黄大定)，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083
(秦复光)，中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083(林兰英) |
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| 摘 要： | 采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为～0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm~2V~(-1)s~(-1),比文献报道高两个量级.
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