| 双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证 |
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| 引用本文： | 黄飞鸿,郑国祥,吴瑞. 双层多晶硅FLOTOX EEPROM特性的模拟和验证[J]. 半导体学报, 2003, 24(6): 637-642 |
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| 作者姓名： | 黄飞鸿 郑国祥 吴瑞 |
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| 作者单位： | [1]复旦大学材料科学系,上海200433 [2]先进半导体制造有限公司,上海200233 |
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| 摘 要： | 介绍了EEPROM的电学模型,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系.根据模拟结果,采用0 .6μm CMOS工艺,对双层多晶硅FL OTOX EEPROM进行了流片,PCM的测试结果验证了模拟结果在实际工艺中的可行性.模拟得出的工艺参数评价为制造高性能的存储单元打下了坚实的基础
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| 关 键 词： | FLOTOX EEPROM 阈值电压 写入 隧道氧化层 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)06-0637-06 |
| 修稿时间： | 2002-07-08 |
Simulation and Verification of Characteristics for Two-PolySilicon FLOTOX EEPROM Cell |
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| Huang Feihong ,Zheng Guoxiang and Wu Rui. Simulation and Verification of Characteristics for Two-PolySilicon FLOTOX EEPROM Cell[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(6): 637-642 |
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| Authors: | Huang Feihong Zheng Guoxiang Wu Rui |
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| Affiliation: | Huang Feihong 1,Zheng Guoxiang 1 and Wu Rui 2 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | FLOTOX EEPROM threshold voltage writing tunneling oxide |
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