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| 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究 | |
| 作者姓名： | 刘传珍 杨柏梁 袁剑峰 李牧菊 吴渊 寥燕平 张玉 王大海 黄锡珉 |
| 作者单位： | 中国科学院长春物理研究所北方液晶研究中心，长春130021 |
| 基金项目： | 中国科学院科技攻关项目;KY951-A1-502; |
| 摘 要： | 利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 ,对晶化过程的机理进行了讨论 |
| 关 键 词： | 金属诱导晶化 多晶硅 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)01-0061-05 |
| 修稿时间： | 1999-09-22 |
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