| IGBT变电阻开通策略的研究 |
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| 引用本文： | 李武杰,程善美,孙得金. IGBT变电阻开通策略的研究[J]. 电力电子技术, 2014, 48(11) |
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| 作者姓名： | 李武杰 程善美 孙得金 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学,自动化学院,湖北武汉430074
2. 武汉征原电气有限公司,湖北武汉,430012 |
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| 摘 要： | 提出了一种新的驱动策略来改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的开通特性。将短路检测与变电阻开通结合,根据实际情况选择两级变电阻或三级变电阻开通IGBT,同时研究了不同变电阻方式下门极电阻切换的时刻。实验结果验证了该策略既有三级变电阻开通的优势,又能保证在Ⅰ类短路的情况下集电极电流的变化率不至于过大而损坏IGBT。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 变电阻开通 短路检测 |
Research on Variable Turn-on Resistors Tactics for IGBT |
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| LI Wu-jie,CHENG Shan-mei,SUN De-jin. Research on Variable Turn-on Resistors Tactics for IGBT[J]. Power Electronics, 2014, 48(11) |
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| Authors: | LI Wu-jie CHENG Shan-mei SUN De-jin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | insulated gete bipolar transistor variable gate on resistors short circuit detect |
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