| 基于IGBT芯片疲劳机理的关断时间可靠性模型 |
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| 引用本文： | 孙俊忠,刘宾礼. 基于IGBT芯片疲劳机理的关断时间可靠性模型[J]. 电力电子技术, 2014, 48(11) |
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| 作者姓名： | 孙俊忠 刘宾礼 |
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| 作者单位： | 1. 海军潜艇学院,动力操纵系,山东青岛266071
2. 海军工程大学,舰船综合电力技术国防科技重点实验室,湖北武汉430033 |
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| 基金项目： | National Natural Science Foundation of China，National Key Basic Research Program of China，国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划973项目 |
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| 摘 要： | 基于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片疲劳机理,提出采用关断时间对IGBT健康状态进行监控的可靠性评估方法。采用理论分析与解析描述相结合的方法,建立了IGBT关断电流下降时间模型,进而通过研究IGBT关断时间特征量疲劳机理,建立了IGBT关断时间可靠性评估模型。仿真和实验验证了该模型的正确性与准确性。通过该模型可对IGBT的健康状况进行准确评估。
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| 关 键 词： | 绝缘栅双极型晶体管 疲劳机理 关断时间 可靠性模型 |
Reliability Model of Turn-off time Based on Chip Fatigue Mechanism of IGBT |
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| SUN Jun-zhong,LIU Bin-li. Reliability Model of Turn-off time Based on Chip Fatigue Mechanism of IGBT[J]. Power Electronics, 2014, 48(11) |
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| Authors: | SUN Jun-zhong LIU Bin-li |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | insulated gate bipolar transistor fatigue mechanism turn-off time reliability model |
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